BSC057N03MSGATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSC057N03MSGATMA1 | BSC057N03MSGATMA1 Inventory, Best Pricing

BSC057N03MSGATMA1

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भाग संख्या	BSC057N03MSGATMA1
LIXINC Part #	BSC057N03MSGATMA1
उत्पादक	IR (Infineon Technologies)
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 30V 15A/71A TDSON
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	BSC057N03MSGATMA1 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 28 - Oct 02 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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BSC057N03MSGATMA1 विशेष विवरण

भाग संख्या:	BSC057N03MSGATMA1
ब्रैंड:	IR (Infineon Technologies)
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	IR (Infineon Technologies)
शृंखला:	OptiMOS™
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	30 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	15A (Ta), 71A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	4.5V, 10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	5.7mOhm @ 30A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	2V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	40 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	±16V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	3100 pF @ 15 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	2.5W (Ta), 45W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	PG-TDSON-8-5
पैकेज / मामला:	8-PowerTDFN

BSC057N03MSGATMA1 दस्तावेज़

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