IPN50R2K0CEATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPN50R2K0CEATMA1 | IPN50R2K0CEATMA1 Inventory, Best Pricing

IPN50R2K0CEATMA1

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भाग संख्या	IPN50R2K0CEATMA1
LIXINC Part #	IPN50R2K0CEATMA1
उत्पादक	IR (Infineon Technologies)
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 500V 3.6A SOT223
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	IPN50R2K0CEATMA1 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 28 - Oct 02 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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IPN50R2K0CEATMA1 विशेष विवरण

भाग संख्या:	IPN50R2K0CEATMA1
ब्रैंड:	IR (Infineon Technologies)
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	IR (Infineon Technologies)
शृंखला:	CoolMOS™ CE
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	500 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	3.6A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	13V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	2Ohm @ 600mA, 13V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	3.5V @ 50µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	6 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	124 pF @ 100 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	5W (Tc)
परिचालन तापमान:	-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	PG-SOT223
पैकेज / मामला:	SOT-223-3

IPN50R2K0CEATMA1 दस्तावेज़

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Qty.	Unit Price	Ext. Price
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3000	$0.18556	$556.68
6000	$0.17537	$1052.22
15000	$0.16520	$2478
30000	$0.15298	$4589.4
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