SSM5N15FE(TE85L,F) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation SSM5N15FE(TE85L,F) | SSM5N15FE(TE85L,F) Inventory, Best Pricing

SSM5N15FE(TE85L,F)

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भाग संख्या	SSM5N15FE(TE85L,F)
LIXINC Part #	SSM5N15FE(TE85L,F)
उत्पादक	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 30V 100MA ESV
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	SSM5N15FE(TE85L,F) पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 28 - Oct 02 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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SSM5N15FE(TE85L,F) विशेष विवरण

भाग संख्या:	SSM5N15FE(TE85L,F)
ब्रैंड:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
शृंखला:	π-MOSVI
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	30 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	100mA (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	2.5V, 4V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	4Ohm @ 10mA, 4V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	1.5V @ 100µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	-
वीजीएस (अधिकतम):	±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	7.8 pF @ 3 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	150mW (Ta)
परिचालन तापमान:	150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	ESV
पैकेज / मामला:	SOT-553

SSM5N15FE(TE85L,F) दस्तावेज़

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