1N5257B-TAP | Vishay General Semiconductor – Diodes Division 1N5257B-TAP

1N5257B-TAP

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भाग संख्या	1N5257B-TAP
LIXINC Part #	1N5257B-TAP
उत्पादक	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
वर्ग	असतत अर्धचालक › डायोड - जेनर - सिंगल
विवरण	DIODE ZENER 33V 500MW DO35
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	1N5257B-TAP पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 29 - Oct 03 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान
शिपिंग

1N5257B-TAP विशेष विवरण

भाग संख्या:	1N5257B-TAP
ब्रैंड:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	डायोड - जेनर - सिंगल
उत्पादक:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
शृंखला:	Automotive, AEC-Q101
पैकेट:	Tape & Box (TB)
भाग की स्थिति:	Active
वोल्टेज - जेनर (नाम) (vz):	33 V
सहनशीलता:	±5%
शक्ति - मैक्स:	500 mW
प्रतिबाधा (अधिकतम) (ZZT):	58 Ohms
करंट - रिवर्स लीकेज @ वी.आर:	100 nA @ 25 V
वोल्टेज - आगे (vf) (अधिकतम) @ अगर:	1.1 V @ 200 mA
परिचालन तापमान:	-65°C ~ 175°C
माउन्टिंग का प्रकार:	Through Hole
पैकेज / मामला:	DO-204AH, DO-35, Axial
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	DO-35

वार्म टिप्स: कृपया नीचे दिया गया फॉर्म भरें। हम जितनी जल्दी हो सके आपसे संपर्क करेंगे।

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.02376	$0.02376
30000	$0.02370	$711

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