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APT20M38BVFRG

APT20M38BVFRG
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भाग संख्या APT20M38BVFRG
LIXINC Part # APT20M38BVFRG
उत्पादक Microsemi
वर्ग असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण MOSFET N-CH 200V 67A TO247
जीवन चक्र सक्रिय
RoHS कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल APT20M38BVFRG पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी Sep 28 - Oct 02 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी 1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
शिपिंग DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

APT20M38BVFRG विशेष विवरण

भाग संख्या:APT20M38BVFRG
ब्रैंड:Microsemi
जीवन चक्र:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:Microsemi
शृंखला:POWER MOS V®
पैकेट:Tube
भाग की स्थिति:Obsolete
एफईटी प्रकार:N-Channel
तकनीकी:MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):200 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस:67A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:38mOhm @ 500mA, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:4V @ 1mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:225 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):±30V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:6120 pF @ 25 V
fet सुविधा:-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):370W (Tc)
परिचालन तापमान:-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:TO-247 [B]
पैकेज / मामला:TO-247-3

APT20M38BVFRG दस्तावेज़

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