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SI6443DQ-T1-E3

SI6443DQ-T1-E3
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भाग संख्या SI6443DQ-T1-E3
LIXINC Part # SI6443DQ-T1-E3
उत्पादक Vishay / Siliconix
वर्ग असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण MOSFET P-CH 30V 7.3A 8TSSOP
जीवन चक्र सक्रिय
RoHS कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल SI6443DQ-T1-E3 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी Sep 28 - Oct 02 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी 1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
शिपिंग DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SI6443DQ-T1-E3 विशेष विवरण

भाग संख्या:SI6443DQ-T1-E3
ब्रैंड:Vishay / Siliconix
जीवन चक्र:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:Vishay / Siliconix
शृंखला:TrenchFET®
पैकेट:Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति:Obsolete
एफईटी प्रकार:P-Channel
तकनीकी:MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):30 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस:7.3A (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):4.5V, 10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:12mOhm @ 8.8A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:3V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:60 nC @ 5 V
वीजीएस (अधिकतम):±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:-
fet सुविधा:-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):1.05W (Ta)
परिचालन तापमान:-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:8-TSSOP
पैकेज / मामला:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

SI6443DQ-T1-E3 दस्तावेज़

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