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MURTA200120R

MURTA200120R
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भाग संख्या MURTA200120R
LIXINC Part # MURTA200120R
उत्पादक GeneSiC Semiconductor
वर्ग असतत अर्धचालक › डायोड - रेक्टिफायर - सरणियाँ
विवरण DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
जीवन चक्र सक्रिय
RoHS कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल MURTA200120R पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी Oct 07 - Oct 11 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी 1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
शिपिंग DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MURTA200120R विशेष विवरण

भाग संख्या:MURTA200120R
ब्रैंड:GeneSiC Semiconductor
जीवन चक्र:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:डायोड - रेक्टिफायर - सरणियाँ
उत्पादक:GeneSiC Semiconductor
शृंखला:-
पैकेट:Bulk
भाग की स्थिति:Active
डायोड विन्यास:1 Pair Common Anode
डायोड प्रकार:Standard
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):1200 V
वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ) (प्रति डायोड):100A
वोल्टेज - आगे (vf) (अधिकतम) @ अगर:2.6 V @ 100 A
रफ़्तार:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):-
करंट - रिवर्स लीकेज @ वी.आर:25 µA @ 1200 V
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:-55°C ~ 150°C
माउन्टिंग का प्रकार:Chassis Mount
पैकेज / मामला:Three Tower
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:Three Tower

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