V20202G-M3/4W | Vishay General Semiconductor – Diodes Division V20202G-M3/4W

V20202G-M3/4W

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भाग संख्या	V20202G-M3/4W
LIXINC Part #	V20202G-M3/4W
उत्पादक	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
वर्ग	असतत अर्धचालक › डायोड - रेक्टिफायर - सरणियाँ
विवरण	DIODE SCHOTTKY 200V 20A TO220AB
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	V20202G-M3/4W पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 21 - Sep 25 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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शिपिंग

V20202G-M3/4W विशेष विवरण

भाग संख्या:	V20202G-M3/4W
ब्रैंड:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	डायोड - रेक्टिफायर - सरणियाँ
उत्पादक:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
शृंखला:	TMBS®
पैकेट:	Tube
भाग की स्थिति:	Active
डायोड विन्यास:	1 Pair Common Cathode
डायोड प्रकार:	Schottky
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	200 V
वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ) (प्रति डायोड):	10A
वोल्टेज - आगे (vf) (अधिकतम) @ अगर:	920 mV @ 10 A
रफ़्तार:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	-
करंट - रिवर्स लीकेज @ वी.आर:	150 µA @ 200 V
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	-40°C ~ 175°C
माउन्टिंग का प्रकार:	Through Hole
पैकेज / मामला:	TO-220-3
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	TO-220-3

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