TRS12N65FB,S1Q | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TRS12N65FB,S1Q

TRS12N65FB,S1Q

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भाग संख्या	TRS12N65FB,S1Q
LIXINC Part #	TRS12N65FB,S1Q
उत्पादक	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
वर्ग	असतत अर्धचालक › डायोड - रेक्टिफायर - सरणियाँ
विवरण	SIC SBD TO-247 V=650 IF=12A
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	TRS12N65FB,S1Q पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 22 - Sep 26 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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TRS12N65FB,S1Q विशेष विवरण

भाग संख्या:	TRS12N65FB,S1Q
ब्रैंड:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	डायोड - रेक्टिफायर - सरणियाँ
उत्पादक:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
शृंखला:	-
पैकेट:	Tube
भाग की स्थिति:	Active
डायोड विन्यास:	1 Pair Common Cathode
डायोड प्रकार:	Silicon Carbide Schottky
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	650 V
वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ) (प्रति डायोड):	6A (DC)
वोल्टेज - आगे (vf) (अधिकतम) @ अगर:	1.6 V @ 6 A
रफ़्तार:	No Recovery Time > 500mA (Io)
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	0 ns
करंट - रिवर्स लीकेज @ वी.आर:	30 µA @ 650 V
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	175°C
माउन्टिंग का प्रकार:	Through Hole
पैकेज / मामला:	TO-247-3
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	TO-247

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