UGB8HCT-E3/81 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division UGB8HCT-E3/81

UGB8HCT-E3/81

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भाग संख्या	UGB8HCT-E3/81
LIXINC Part #	UGB8HCT-E3/81
उत्पादक	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
वर्ग	असतत अर्धचालक › डायोड - रेक्टिफायर - सरणियाँ
विवरण	DIODE ARRAY GP 500V 4A TO263AB
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	UGB8HCT-E3/81 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 22 - Sep 26 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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UGB8HCT-E3/81 विशेष विवरण

भाग संख्या:	UGB8HCT-E3/81
ब्रैंड:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	डायोड - रेक्टिफायर - सरणियाँ
उत्पादक:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
शृंखला:	-
पैकेट:	Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति:	Obsolete
डायोड विन्यास:	1 Pair Common Cathode
डायोड प्रकार:	Standard
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	500 V
वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ) (प्रति डायोड):	4A
वोल्टेज - आगे (vf) (अधिकतम) @ अगर:	1.75 V @ 4 A
रफ़्तार:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	50 ns
करंट - रिवर्स लीकेज @ वी.आर:	30 µA @ 500 V
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	-55°C ~ 150°C
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
पैकेज / मामला:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	TO-263AB

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