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IMBD4448-HE3-08

IMBD4448-HE3-08
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भाग संख्या IMBD4448-HE3-08
LIXINC Part # IMBD4448-HE3-08
उत्पादक Vishay General Semiconductor – Diodes Division
वर्ग असतत अर्धचालक › डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
विवरण DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23
जीवन चक्र सक्रिय
RoHS कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल IMBD4448-HE3-08 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी Oct 19 - Oct 23 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी 1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
शिपिंग DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IMBD4448-HE3-08 विशेष विवरण

भाग संख्या:IMBD4448-HE3-08
ब्रैंड:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
जीवन चक्र:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
उत्पादक:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
शृंखला:Automotive, AEC-Q101
पैकेट:Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति:Active
डायोड प्रकार:Standard
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):75 V
वर्तमान - औसत सुधारा (आईओ):150mA
वोल्टेज - आगे (vf) (अधिकतम) @ अगर:1 V @ 10 mA
रफ़्तार:Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):4 ns
करंट - रिवर्स लीकेज @ वी.आर:2.5 µA @ 70 V
समाई @ वीआर, एफ:-
माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
पैकेज / मामला:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:SOT-23
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:150°C (Max)

IMBD4448-HE3-08 दस्तावेज़

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