BYV27-200-TR | Vishay General Semiconductor – Diodes Division BYV27-200-TR

BYV27-200-TR

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भाग संख्या	BYV27-200-TR
LIXINC Part #	BYV27-200-TR
उत्पादक	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
वर्ग	असतत अर्धचालक › डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
विवरण	DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	BYV27-200-TR पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 21 - Oct 25 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान
शिपिंग

BYV27-200-TR विशेष विवरण

भाग संख्या:	BYV27-200-TR
ब्रैंड:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
उत्पादक:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
शृंखला:	-
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
डायोड प्रकार:	Avalanche
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	200 V
वर्तमान - औसत सुधारा (आईओ):	2A
वोल्टेज - आगे (vf) (अधिकतम) @ अगर:	1.07 V @ 3 A
रफ़्तार:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	25 ns
करंट - रिवर्स लीकेज @ वी.आर:	1 µA @ 200 V
समाई @ वीआर, एफ:	-
माउन्टिंग का प्रकार:	Through Hole
पैकेज / मामला:	SOD-57, Axial
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	SOD-57
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	-55°C ~ 175°C

S2K M4G	DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AA	870 अधिक आदेश पर
LL4151	DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD80C	38443 अधिक आदेश पर
UM7	DIODE UFR SMA 1000V 1A	15838 अधिक आदेश पर
BY880-1400-CT	CUT-TAPE VERSION. STANDARD RECO	956 अधिक आदेश पर
RS1KLHRQG	DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA	829 अधिक आदेश पर
S1DHE3_A/H	DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC	2644 अधिक आदेश पर
121SPC045A	DIODE SCHOTTKY 45V 120A SPD-3A	888 अधिक आदेश पर
MR751	RECT 100 V 6 AMPS	5784 अधिक आदेश पर
VS-301U250	DIODE GEN PURP 2.5KV 300A DO205	969 अधिक आदेश पर
ACDBCT360-HF	DIODE SCHOTTKY 60V 3A 3220	3497 अधिक आदेश पर
EGP10G-E3/73	DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL	9187 अधिक आदेश पर
BYG22DHE3_A/H	DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC	3550 अधिक आदेश पर
CDBA2150-HF	DIODE SCHOTTKY 150V 2A DO214AC	834 अधिक आदेश पर

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