SBR8M100P5Q-13 | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) SBR8M100P5Q-13

SBR8M100P5Q-13

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भाग संख्या	SBR8M100P5Q-13
LIXINC Part #	SBR8M100P5Q-13
उत्पादक	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
वर्ग	असतत अर्धचालक › डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
विवरण	DIODE SBR 100V 8A POWERDI5
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	SBR8M100P5Q-13 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 25 - Oct 29 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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SBR8M100P5Q-13 विशेष विवरण

भाग संख्या:	SBR8M100P5Q-13
ब्रैंड:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
उत्पादक:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
शृंखला:	Automotive, AEC-Q101
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
डायोड प्रकार:	Super Barrier
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	100 V
वर्तमान - औसत सुधारा (आईओ):	8A
वोल्टेज - आगे (vf) (अधिकतम) @ अगर:	880 mV @ 8 A
रफ़्तार:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	-
करंट - रिवर्स लीकेज @ वी.आर:	2 µA @ 100 V
समाई @ वीआर, एफ:	-
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
पैकेज / मामला:	PowerDI™ 5
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	PowerDI™ 5
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	-55°C ~ 175°C

NRVTS10120MFST3G	DIODE SCHOTTKY 120V 10A 5DFN	983 अधिक आदेश पर
AR4PJ-M3/86A	DIODE AVALANCHE 600V 2A TO277A	805 अधिक आदेश पर
ES1FHR3G	DIODE GEN PURP 300V 1A DO214AC	805 अधिक आदेश पर
RS3M R7G	DIODE GEN PURP 3A DO214AB	928 अधिक आदेश पर
RGP30A-E3/54	DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD	898 अधिक आदेश पर
SE20DJHM3/I	DIODE GEN PURP 600V 3.9A TO263AC	1001 अधिक आदेश पर
RF305BM6SFHTL	SUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q	3351 अधिक आदेश पर
CMR1F-10M BK PBFREE	DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA	875 अधिक आदेश पर
SR815 R0G	DIODE SCHOTTKY 150V 8A DO201AD	966 अधिक आदेश पर
FR303G B0G	DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD	879 अधिक आदेश पर
DK025LTP	RECT 1000V 25A TO220 ISO	869 अधिक आदेश पर
VS-20ETF08S-M3	DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB	845 अधिक आदेश पर
BAV200-GS18	DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80	839 अधिक आदेश पर

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