S4PJHM3_A/H | Vishay General Semiconductor – Diodes Division S4PJHM3_A/H

S4PJHM3_A/H

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भाग संख्या	S4PJHM3_A/H
LIXINC Part #	S4PJHM3_A/H
उत्पादक	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
वर्ग	असतत अर्धचालक › डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
विवरण	DIODE GEN PURP 600V 4A TO277A
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	S4PJHM3_A/H पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Jul 08 - Jul 12 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान
शिपिंग

S4PJHM3_A/H विशेष विवरण

भाग संख्या:	S4PJHM3_A/H
ब्रैंड:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
उत्पादक:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
शृंखला:	Automotive, AEC-Q101, eSMP®
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
डायोड प्रकार:	Standard
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	600 V
वर्तमान - औसत सुधारा (आईओ):	4A
वोल्टेज - आगे (vf) (अधिकतम) @ अगर:	1.1 V @ 4 A
रफ़्तार:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	2.5 µs
करंट - रिवर्स लीकेज @ वी.आर:	10 µA @ 600 V
समाई @ वीआर, एफ:	30pF @ 4V, 1MHz
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
पैकेज / मामला:	TO-277, 3-PowerDFN
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	TO-277A (SMPC)
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	-55°C ~ 150°C

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