S2J-M3/52T | Vishay General Semiconductor – Diodes Division S2J-M3/52T

S2J-M3/52T

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भाग संख्या	S2J-M3/52T
LIXINC Part #	S2J-M3/52T
उत्पादक	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
वर्ग	असतत अर्धचालक › डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
विवरण	DIODE GPP 1.5A 600V DO-214AA
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	S2J-M3/52T पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 28 - Nov 01 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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शिपिंग

S2J-M3/52T विशेष विवरण

भाग संख्या:	S2J-M3/52T
ब्रैंड:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
उत्पादक:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
शृंखला:	-
पैकेट:	Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति:	Active
डायोड प्रकार:	Standard
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	600 V
वर्तमान - औसत सुधारा (आईओ):	1.5A
वोल्टेज - आगे (vf) (अधिकतम) @ अगर:	1.15 V @ 1.5 A
रफ़्तार:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	2 µs
करंट - रिवर्स लीकेज @ वी.आर:	1 µA @ 600 V
समाई @ वीआर, एफ:	16pF @ 4V, 1MHz
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
पैकेज / मामला:	DO-214AA, SMB
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	DO-214AA (SMB)
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	-55°C ~ 150°C

NTE5899	R-300PRV 16A ANODE CASE	1038 अधिक आदेश पर
SF32GHA0G	DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD	895 अधिक आदेश पर
STPS2L30AFN	30 V, 2 A LOW DROP POWER SCHOTTK	10757 अधिक आदेश पर
TPMR10D S1G	DIODE GEN PURP 200V 10A TO277A	10331 अधिक आदेश पर
P2000B-CT	CUT-TAPE VERSION. STANDARD RECO	841 अधिक आदेश पर
RSFMLHRTG	DIODE GEN PURP 500MA SUB SMA	806 अधिक आदेश पर
SJPL-F4	DIODE GEN PURP 400V 1.5A SJP	928 अधिक आदेश पर
NTE5853	R-100PRV 6A ANODE CASE	909 अधिक आदेश पर
MMSD914T3G	DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123	12645 अधिक आदेश पर
DPG60I300HA	DIODE GEN PURP 300V 60A TO247	890 अधिक आदेश पर
BY880-50-CT	CUT-TAPE VERSION. STANDARD RECO	892 अधिक आदेश पर
19TQ015CJ	DIODE SCHOTTKY 15V TO220AC	8508 अधिक आदेश पर
S1DLS RQG	DIODE, 1.2A, 200V, SOD-123HE	844 अधिक आदेश पर

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