BYG22A-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division BYG22A-E3/TR3

BYG22A-E3/TR3

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भाग संख्या	BYG22A-E3/TR3
LIXINC Part #	BYG22A-E3/TR3
उत्पादक	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
वर्ग	असतत अर्धचालक › डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
विवरण	DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	BYG22A-E3/TR3 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 22 - Sep 26 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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शिपिंग

BYG22A-E3/TR3 विशेष विवरण

भाग संख्या:	BYG22A-E3/TR3
ब्रैंड:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
उत्पादक:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
शृंखला:	-
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
डायोड प्रकार:	Avalanche
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	50 V
वर्तमान - औसत सुधारा (आईओ):	2A
वोल्टेज - आगे (vf) (अधिकतम) @ अगर:	1.1 V @ 2 A
रफ़्तार:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	25 ns
करंट - रिवर्स लीकेज @ वी.आर:	1 µA @ 50 V
समाई @ वीआर, एफ:	-
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
पैकेज / मामला:	DO-214AC, SMA
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	DO-214AC (SMA)
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	-55°C ~ 150°C

VS-HFA08TA60C-N3	DIODE GEN PURP 600V 4A TO220AB	812 अधिक आदेश पर
SRL1G-CT	CUT-TAPE VERSION. STANDARD RECO	872 अधिक आदेश पर
VS-71HF60	DIODE GEN PURP 600V 70A DO203AB	834 अधिक आदेश पर
M2325HA450	DIODE FAST RECOVERY 4500V 2325A	965 अधिक आदेश पर
SL42-M3/57T	DIODE SCHOTTKY 4A 20V DO-214AB	829 अधिक आदेश पर
RMPG06BHE3_A/54	DIODE GEN PURP 100V 1A MPG06	837 अधिक आदेश पर
FML-G22S	DIODE GEN PURP 200V 10A TO220F	1341 अधिक आदेश पर
DLN10C-BT	DLN10C-BT	920 अधिक आदेश पर
FMXK-1106S	DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F	1370 अधिक आदेश पर
SF2008PTHC0G	DIODE GEN PURP 600V 20A TO247AD	997 अधिक आदेश पर
MBR120LSFT1	RECTIFIER DIODE	17823 अधिक आदेश पर
PX1500A	DIODE STD D8X7.5 50V 15A	987 अधिक आदेश पर
MUR815	DIODE GEN PURP 150V 8A TO220AC	838 अधिक आदेश पर

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