UGB8BTHE3/45 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division UGB8BTHE3/45

UGB8BTHE3/45

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भाग संख्या	UGB8BTHE3/45
LIXINC Part #	UGB8BTHE3/45
उत्पादक	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
वर्ग	असतत अर्धचालक › डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
विवरण	DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	UGB8BTHE3/45 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 22 - Sep 26 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान
शिपिंग

UGB8BTHE3/45 विशेष विवरण

भाग संख्या:	UGB8BTHE3/45
ब्रैंड:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
उत्पादक:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
शृंखला:	-
पैकेट:	Tube
भाग की स्थिति:	Active
डायोड प्रकार:	Standard
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	100 V
वर्तमान - औसत सुधारा (आईओ):	8A
वोल्टेज - आगे (vf) (अधिकतम) @ अगर:	1 V @ 8 A
रफ़्तार:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	30 ns
करंट - रिवर्स लीकेज @ वी.आर:	10 µA @ 100 V
समाई @ वीआर, एफ:	-
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
पैकेज / मामला:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	TO-263AB
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	-55°C ~ 150°C

वार्म टिप्स: कृपया नीचे दिया गया फॉर्म भरें। हम जितनी जल्दी हो सके आपसे संपर्क करेंगे।

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.65130	$0.6513
1000	$0.65130	$651.3

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