1N4150W-HE3-18 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division 1N4150W-HE3-18

1N4150W-HE3-18

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भाग संख्या	1N4150W-HE3-18
LIXINC Part #	1N4150W-HE3-18
उत्पादक	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
वर्ग	असतत अर्धचालक › डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
विवरण	DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	1N4150W-HE3-18 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 20 - Oct 24 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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शिपिंग

1N4150W-HE3-18 विशेष विवरण

भाग संख्या:	1N4150W-HE3-18
ब्रैंड:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
उत्पादक:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
शृंखला:	-
पैकेट:	Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति:	Active
डायोड प्रकार:	Standard
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	50 V
वर्तमान - औसत सुधारा (आईओ):	200mA
वोल्टेज - आगे (vf) (अधिकतम) @ अगर:	1 V @ 200 mA
रफ़्तार:	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	4 ns
करंट - रिवर्स लीकेज @ वी.आर:	100 nA @ 50 V
समाई @ वीआर, एफ:	2.5pF @ 0V, 1MHz
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
पैकेज / मामला:	SOD-123
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	SOD-123
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	-55°C ~ 150°C

वार्म टिप्स: कृपया नीचे दिया गया फॉर्म भरें। हम जितनी जल्दी हो सके आपसे संपर्क करेंगे।

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10000	$0.03740	$374

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