UH3BHE3_A/I | Vishay General Semiconductor – Diodes Division UH3BHE3_A/I

UH3BHE3_A/I

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भाग संख्या	UH3BHE3_A/I
LIXINC Part #	UH3BHE3_A/I
उत्पादक	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
वर्ग	असतत अर्धचालक › डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
विवरण	DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	UH3BHE3_A/I पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 20 - Oct 24 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान
शिपिंग

UH3BHE3_A/I विशेष विवरण

भाग संख्या:	UH3BHE3_A/I
ब्रैंड:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
उत्पादक:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
शृंखला:	-
पैकेट:	Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति:	Active
डायोड प्रकार:	Standard
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	100 V
वर्तमान - औसत सुधारा (आईओ):	3A
वोल्टेज - आगे (vf) (अधिकतम) @ अगर:	1.05 V @ 3 A
रफ़्तार:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	40 ns
करंट - रिवर्स लीकेज @ वी.आर:	5 µA @ 100 V
समाई @ वीआर, एफ:	-
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
पैकेज / मामला:	DO-214AB, SMC
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	DO-214AB (SMC)
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	-55°C ~ 175°C

वार्म टिप्स: कृपया नीचे दिया गया फॉर्म भरें। हम जितनी जल्दी हो सके आपसे संपर्क करेंगे।

Qty.	Unit Price	Ext. Price
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3500	$0.26720	$935.2

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