VS-4EWH02FN-M3 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-4EWH02FN-M3

VS-4EWH02FN-M3

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भाग संख्या	VS-4EWH02FN-M3
LIXINC Part #	VS-4EWH02FN-M3
उत्पादक	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
वर्ग	असतत अर्धचालक › डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
विवरण	DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	VS-4EWH02FN-M3 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 07 - Oct 11 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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शिपिंग

VS-4EWH02FN-M3 विशेष विवरण

भाग संख्या:	VS-4EWH02FN-M3
ब्रैंड:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
उत्पादक:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
शृंखला:	-
पैकेट:	Tube
भाग की स्थिति:	Active
डायोड प्रकार:	Standard
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	200 V
वर्तमान - औसत सुधारा (आईओ):	4A
वोल्टेज - आगे (vf) (अधिकतम) @ अगर:	950 mV @ 4 A
रफ़्तार:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	20 ns
करंट - रिवर्स लीकेज @ वी.आर:	3 µA @ 200 V
समाई @ वीआर, एफ:	-
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
पैकेज / मामला:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	D-PAK (TO-252AA)
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	-65°C ~ 175°C

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