GB02SLT12-252 | GeneSiC Semiconductor GB02SLT12-252 | GB02SLT12-252 Inventory, Best Pricing

GB02SLT12-252

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भाग संख्या	GB02SLT12-252
LIXINC Part #	GB02SLT12-252
उत्पादक	GeneSiC Semiconductor
वर्ग	असतत अर्धचालक › डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
विवरण	DIODE SIC SCHKY 1.2KV 2A TO252
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	GB02SLT12-252 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Jul 04 - Jul 08 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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शिपिंग

GB02SLT12-252 विशेष विवरण

भाग संख्या:	GB02SLT12-252
ब्रैंड:	GeneSiC Semiconductor
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
उत्पादक:	GeneSiC Semiconductor
शृंखला:	-
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
डायोड प्रकार:	Silicon Carbide Schottky
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	1200 V
वर्तमान - औसत सुधारा (आईओ):	5A (DC)
वोल्टेज - आगे (vf) (अधिकतम) @ अगर:	1.8 V @ 2 A
रफ़्तार:	No Recovery Time > 500mA (Io)
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	0 ns
करंट - रिवर्स लीकेज @ वी.आर:	50 µA @ 1200 V
समाई @ वीआर, एफ:	131pF @ 1V, 1MHz
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
पैकेज / मामला:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	TO-252
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	-55°C ~ 175°C

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