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NSB8GTHE3_A/P

NSB8GTHE3_A/P
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भाग संख्या NSB8GTHE3_A/P
LIXINC Part # NSB8GTHE3_A/P
उत्पादक Vishay General Semiconductor – Diodes Division
वर्ग असतत अर्धचालक › डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
विवरण DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
जीवन चक्र सक्रिय
RoHS कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल NSB8GTHE3_A/P पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी Oct 07 - Oct 11 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी 1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
शिपिंग DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NSB8GTHE3_A/P विशेष विवरण

भाग संख्या:NSB8GTHE3_A/P
ब्रैंड:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
जीवन चक्र:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
उत्पादक:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
शृंखला:Automotive, AEC-Q101
पैकेट:Tube
भाग की स्थिति:Active
डायोड प्रकार:Standard
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):400 V
वर्तमान - औसत सुधारा (आईओ):8A
वोल्टेज - आगे (vf) (अधिकतम) @ अगर:1.1 V @ 8 A
रफ़्तार:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):-
करंट - रिवर्स लीकेज @ वी.आर:10 µA @ 400 V
समाई @ वीआर, एफ:55pF @ 4V, 1MHz
माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
पैकेज / मामला:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:TO-263AB
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:-55°C ~ 150°C

NSB8GTHE3_A/P दस्तावेज़

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