SDT10S30 | Rochester Electronics SDT10S30 | SDT10S30 Inventory, Best Pricing

SDT10S30

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भाग संख्या	SDT10S30
LIXINC Part #	SDT10S30
उत्पादक	Rochester Electronics
वर्ग	असतत अर्धचालक › डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
विवरण	RECTIFIER DIODE
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	SDT10S30 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 27 - Oct 01 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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शिपिंग

SDT10S30 विशेष विवरण

भाग संख्या:	SDT10S30
ब्रैंड:	Rochester Electronics
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
उत्पादक:	Rochester Electronics
शृंखला:	CoolSiC™+
पैकेट:	Tube
भाग की स्थिति:	Obsolete
डायोड प्रकार:	Silicon Carbide Schottky
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	300 V
वर्तमान - औसत सुधारा (आईओ):	10A (DC)
वोल्टेज - आगे (vf) (अधिकतम) @ अगर:	1.7 V @ 10 A
रफ़्तार:	No Recovery Time > 500mA (Io)
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	0 ns
करंट - रिवर्स लीकेज @ वी.आर:	200 µA @ 300 V
समाई @ वीआर, एफ:	600pF @ 0V, 1MHz
माउन्टिंग का प्रकार:	Through Hole
पैकेज / मामला:	TO-220-2
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	PG-TO220-2-2
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	-55°C ~ 175°C

STTH10LCD06FP	DIODE GEN PURP 600V 10A TO220FP	2097 अधिक आदेश पर
CDLL2810	DIODE SCHOTTKY 20V 75MA DO213AA	869 अधिक आदेश पर
GP10K-4006HE3/73	DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL	937 अधिक आदेश पर
SK310A M2G	DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AC	856 अधिक आदेश पर
IDW100E60	IDW100E60 - SILICON POWER DIODE	951 अधिक आदेश पर
RSFML R3G	DIODE GEN PURP 1KV 500MA SUB SMA	2632 अधिक आदेश पर
BYT53A-TR	DIODE AVALANCHE 50V 1.9A SOD57	954 अधिक आदेश पर
SICR10650CT	DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S	1219 अधिक आदेश पर
PMEG3002AEB,115	DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523	12714 अधिक आदेश पर
RFN5BM6STL	DIODE GEN PURP 600V 5A TO252	3355 अधिक आदेश पर
SMMSD4148T1G	DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123	17110 अधिक आदेश पर
1N4935G A0G	DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL	804 अधिक आदेश पर
120NQ040R-1	DIODE SCHOTTKY 40V 120A PRM1-1	860 अधिक आदेश पर

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