1N4448TAP | Vishay General Semiconductor – Diodes Division 1N4448TAP

1N4448TAP

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भाग संख्या	1N4448TAP
LIXINC Part #	1N4448TAP
उत्पादक	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
वर्ग	असतत अर्धचालक › डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
विवरण	DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	1N4448TAP पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 06 - Oct 10 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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शिपिंग

1N4448TAP विशेष विवरण

भाग संख्या:	1N4448TAP
ब्रैंड:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
उत्पादक:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
शृंखला:	-
पैकेट:	Cut Tape (CT)Tape & Box (TB)
भाग की स्थिति:	Active
डायोड प्रकार:	Standard
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	75 V
वर्तमान - औसत सुधारा (आईओ):	150mA
वोल्टेज - आगे (vf) (अधिकतम) @ अगर:	720 mV @ 5 mA
रफ़्तार:	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	8 ns
करंट - रिवर्स लीकेज @ वी.आर:	5 µA @ 75 V
समाई @ वीआर, एफ:	4pF @ 0V, 1MHz
माउन्टिंग का प्रकार:	Through Hole
पैकेज / मामला:	DO-204AH, DO-35, Axial
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	DO-35
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	175°C (Max)

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