B160-M3/5AT | Vishay General Semiconductor – Diodes Division B160-M3/5AT

B160-M3/5AT

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भाग संख्या	B160-M3/5AT
LIXINC Part #	B160-M3/5AT
उत्पादक	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
वर्ग	असतत अर्धचालक › डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
विवरण	DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214AC
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	B160-M3/5AT पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Jul 04 - Jul 08 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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शिपिंग

B160-M3/5AT विशेष विवरण

भाग संख्या:	B160-M3/5AT
ब्रैंड:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
उत्पादक:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
शृंखला:	-
पैकेट:	Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति:	Active
डायोड प्रकार:	Schottky
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	60 V
वर्तमान - औसत सुधारा (आईओ):	1A
वोल्टेज - आगे (vf) (अधिकतम) @ अगर:	750 mV @ 1 A
रफ़्तार:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	-
करंट - रिवर्स लीकेज @ वी.आर:	200 µA @ 60 V
समाई @ वीआर, एफ:	-
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
पैकेज / मामला:	DO-214AC, SMA
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	DO-214AC (SMA)
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	-65°C ~ 150°C

V3F6-M3/I	3A,60V,SMF,TRENCH SKY RECT.	896 अधिक आदेश पर
MUR860J	ULTRAFAST POWER DIODE	12677 अधिक आदेश पर
MBRX120LF-TP	DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123	922 अधिक आदेश पर
1N5402T-G	DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD	842 अधिक आदेश पर
BYV29B-400-E3/81	DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB	963 अधिक आदेश पर
STPS130U	DIODE SCHOTTKY 30V 1A SMB	901 अधिक आदेश पर
SS10PH10-M3/86A	DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A	13934 अधिक आदेश पर
1SS220(0)-T1B-A	DIODE FOR HIGH SPEED SWITCHING	66984 अधिक आदेश पर
D3501N42TVFXPSA1	HIGH POWER THYR / DIO	944 अधिक आदेश पर
VS-SD1700C36K	DIODE GP 3.6KV 2080A DO200AC	802 अधिक आदेश पर
SJPA-L3V	DIODE SCHOTTKY 30V 3A SJP	887 अधिक आदेश पर
SURS8210T3G-VF01	DIODE GEN PURP 100V 2A SMB	917 अधिक आदेश पर
ST1G	DIODE STD SMA 400V 1A	8432 अधिक आदेश पर

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