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EGF1D-2HE3/67A

EGF1D-2HE3/67A
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भाग संख्या EGF1D-2HE3/67A
LIXINC Part # EGF1D-2HE3/67A
उत्पादक Vishay General Semiconductor – Diodes Division
वर्ग असतत अर्धचालक › डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
विवरण DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA
जीवन चक्र सक्रिय
RoHS कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल EGF1D-2HE3/67A पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी Oct 09 - Oct 13 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी 1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
शिपिंग DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

EGF1D-2HE3/67A विशेष विवरण

भाग संख्या:EGF1D-2HE3/67A
ब्रैंड:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
जीवन चक्र:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
उत्पादक:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
शृंखला:Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
पैकेट:Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति:Discontinued at Digi-Key
डायोड प्रकार:Standard
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):200 V
वर्तमान - औसत सुधारा (आईओ):1A
वोल्टेज - आगे (vf) (अधिकतम) @ अगर:1 V @ 1 A
रफ़्तार:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):50 ns
करंट - रिवर्स लीकेज @ वी.आर:5 µA @ 200 V
समाई @ वीआर, एफ:15pF @ 4V, 1MHz
माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
पैकेज / मामला:DO-214BA
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:DO-214BA (GF1)
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:-65°C ~ 175°C

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