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GB10SLT12-252

GB10SLT12-252
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भाग संख्या GB10SLT12-252
LIXINC Part # GB10SLT12-252
उत्पादक GeneSiC Semiconductor
वर्ग असतत अर्धचालक › डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
विवरण DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252
जीवन चक्र सक्रिय
RoHS कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल GB10SLT12-252 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी Sep 25 - Sep 29 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी 1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
शिपिंग DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

GB10SLT12-252 विशेष विवरण

भाग संख्या:GB10SLT12-252
ब्रैंड:GeneSiC Semiconductor
जीवन चक्र:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
उत्पादक:GeneSiC Semiconductor
शृंखला:-
पैकेट:Tube
भाग की स्थिति:Obsolete
डायोड प्रकार:Silicon Carbide Schottky
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):1200 V
वर्तमान - औसत सुधारा (आईओ):10A
वोल्टेज - आगे (vf) (अधिकतम) @ अगर:2 V @ 10 A
रफ़्तार:No Recovery Time > 500mA (Io)
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):0 ns
करंट - रिवर्स लीकेज @ वी.आर:250 µA @ 1200 V
समाई @ वीआर, एफ:520pF @ 1V, 1MHz
माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
पैकेज / मामला:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:TO-252
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:-55°C ~ 175°C

GB10SLT12-252 दस्तावेज़

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