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1N8026-GA

1N8026-GA
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भाग संख्या 1N8026-GA
LIXINC Part # 1N8026-GA
उत्पादक GeneSiC Semiconductor
वर्ग असतत अर्धचालक › डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
विवरण DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
जीवन चक्र सक्रिय
RoHS कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल 1N8026-GA पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी Sep 22 - Sep 26 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी 1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
शिपिंग DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

1N8026-GA विशेष विवरण

भाग संख्या:1N8026-GA
ब्रैंड:GeneSiC Semiconductor
जीवन चक्र:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
उत्पादक:GeneSiC Semiconductor
शृंखला:-
पैकेट:Tube
भाग की स्थिति:Obsolete
डायोड प्रकार:Silicon Carbide Schottky
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):1200 V
वर्तमान - औसत सुधारा (आईओ):8A (DC)
वोल्टेज - आगे (vf) (अधिकतम) @ अगर:1.6 V @ 2.5 A
रफ़्तार:No Recovery Time > 500mA (Io)
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):0 ns
करंट - रिवर्स लीकेज @ वी.आर:10 µA @ 1200 V
समाई @ वीआर, एफ:237pF @ 1V, 1MHz
माउन्टिंग का प्रकार:Through Hole
पैकेज / मामला:TO-257-3
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:TO-257
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:-55°C ~ 250°C

1N8026-GA दस्तावेज़

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