GHR16-E3/54 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division GHR16-E3/54

GHR16-E3/54

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भाग संख्या	GHR16-E3/54
LIXINC Part #	GHR16-E3/54
उत्पादक	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
वर्ग	असतत अर्धचालक › डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
विवरण	DIODE GEN PURP 1.6KV 500MA R1
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	GHR16-E3/54 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 22 - Oct 26 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान
शिपिंग

GHR16-E3/54 विशेष विवरण

भाग संख्या:	GHR16-E3/54
ब्रैंड:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
उत्पादक:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
शृंखला:	-
पैकेट:	Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति:	Obsolete
डायोड प्रकार:	Standard
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	1600 V
वर्तमान - औसत सुधारा (आईओ):	500mA
वोल्टेज - आगे (vf) (अधिकतम) @ अगर:	1.5 V @ 500 mA
रफ़्तार:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	300 ns
करंट - रिवर्स लीकेज @ वी.आर:	5 µA @ 1600 V
समाई @ वीआर, एफ:	-
माउन्टिंग का प्रकार:	Through Hole
पैकेज / मामला:	R-1, Axial
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	R-1
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	-65°C ~ 175°C

F1827D1200	DIODE GEN PURP 1.2KV 25A MODULE	838 अधिक आदेश पर
CRG09A,LQ(M	DIODE GEN PURP 400V 1A SFLAT	882 अधिक आदेश पर
IDC40D120T6MX1SA4	DIODE GEN PURP 1.2KV 75A WAFER	966 अधिक आदेश पर
IRD3CH24DB6	DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED	914 अधिक आदेश पर
ER1D-TP	DIODE 1A 200V HSMB DO214AA	989 अधिक आदेश पर
MSC080SMA120JS15	MOSFET SIC 1200V 80 MOHM 15A SOT	908 अधिक आदेश पर
IDC08S60CEX7SA1	DIODE GEN PURPOSE SAWN WAFER	912 अधिक आदेश पर
PMEG4030ER/DG/B2,1	PMEG4030ER/DG/B2,1	833 अधिक आदेश पर
VS-150SQ040	DIODE SCHOTTKY 40V 15A DO204AR	872 अधिक आदेश पर
RL105-AP	DIODE GEN PURP 600V 1A A-405	910 अधिक आदेश पर
R5100210XXWA	DIODE GEN PURP 200V 100A DO205AA	800 अधिक आदेश पर
SIDC03D60F6X1SA2	DIODE GEN PURP 600V 6A WAFER	804 अधिक आदेश पर
RU 4M	DIODE GEN PURP 400V 2A AXIAL	981 अधिक आदेश पर

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