VS-C08ET07T-M3 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-C08ET07T-M3

VS-C08ET07T-M3

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भाग संख्या	VS-C08ET07T-M3
LIXINC Part #	VS-C08ET07T-M3
उत्पादक	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
वर्ग	असतत अर्धचालक › डायोड - आरएफ
विवरण	SILICON CARBIDE DIODE - TO-220
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	VS-C08ET07T-M3 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 22 - Sep 26 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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शिपिंग

VS-C08ET07T-M3 विशेष विवरण

भाग संख्या:	VS-C08ET07T-M3
ब्रैंड:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	डायोड - आरएफ
उत्पादक:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
शृंखला:	-
पैकेट:	Tube
भाग की स्थिति:	Active
डायोड प्रकार:	Schottky - Single
वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम):	650V
वर्तमान - अधिकतम:	8 A
समाई @ वीआर, एफ:	355pF @ 1V, 1MHz
प्रतिरोध @ अगर, एफ:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	54 W
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 175°C (TJ)
पैकेज / मामला:	TO-220-2
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	TO-220AC

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