BZT52C8V2-E3-08 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division BZT52C8V2-E3-08

BZT52C8V2-E3-08

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भाग संख्या	BZT52C8V2-E3-08
LIXINC Part #	BZT52C8V2-E3-08
उत्पादक	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
वर्ग	असतत अर्धचालक › डायोड - जेनर - सिंगल
विवरण	DIODE ZENER 8.2V 410MW SOD123
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	BZT52C8V2-E3-08 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 26 - Sep 30 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान
शिपिंग

BZT52C8V2-E3-08 विशेष विवरण

भाग संख्या:	BZT52C8V2-E3-08
ब्रैंड:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	डायोड - जेनर - सिंगल
उत्पादक:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
शृंखला:	-
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
वोल्टेज - जेनर (नाम) (vz):	8.2 V
सहनशीलता:	±5%
शक्ति - मैक्स:	410 mW
प्रतिबाधा (अधिकतम) (ZZT):	4.5 Ohms
करंट - रिवर्स लीकेज @ वी.आर:	100 nA @ 6 V
वोल्टेज - आगे (vf) (अधिकतम) @ अगर:	-
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 150°C
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
पैकेज / मामला:	SOD-123
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	SOD-123

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