PLZ4V3B-HG3_A/H | Vishay General Semiconductor – Diodes Division PLZ4V3B-HG3_A/H

PLZ4V3B-HG3_A/H

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भाग संख्या	PLZ4V3B-HG3_A/H
LIXINC Part #	PLZ4V3B-HG3_A/H
उत्पादक	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
वर्ग	असतत अर्धचालक › डायोड - जेनर - सिंगल
विवरण	DIODE ZENER 4.3V 960MW DO219AC
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	PLZ4V3B-HG3_A/H पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 28 - Oct 02 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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PLZ4V3B-HG3_A/H विशेष विवरण

भाग संख्या:	PLZ4V3B-HG3_A/H
ब्रैंड:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	डायोड - जेनर - सिंगल
उत्पादक:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
शृंखला:	Automotive, AEC-Q101, PLZ
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
वोल्टेज - जेनर (नाम) (vz):	4.3 V
सहनशीलता:	±3.02%
शक्ति - मैक्स:	960 mW
प्रतिबाधा (अधिकतम) (ZZT):	40 Ohms
करंट - रिवर्स लीकेज @ वी.आर:	5 µA @ 1 V
वोल्टेज - आगे (vf) (अधिकतम) @ अगर:	900 mV @ 10 mA
परिचालन तापमान:	150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
पैकेज / मामला:	DO-219AC
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	DO-219AC (microSMF)

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