PLZ33B-HG3_A/H | Vishay General Semiconductor – Diodes Division PLZ33B-HG3_A/H

PLZ33B-HG3_A/H

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भाग संख्या	PLZ33B-HG3_A/H
LIXINC Part #	PLZ33B-HG3_A/H
उत्पादक	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
वर्ग	असतत अर्धचालक › डायोड - जेनर - सिंगल
विवरण	DIODE ZENER 33V 500MW DO219AC
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	PLZ33B-HG3_A/H पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 29 - Oct 03 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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PLZ33B-HG3_A/H विशेष विवरण

भाग संख्या:	PLZ33B-HG3_A/H
ब्रैंड:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	डायोड - जेनर - सिंगल
उत्पादक:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
शृंखला:	Automotive, AEC-Q101
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
वोल्टेज - जेनर (नाम) (vz):	33 V
सहनशीलता:	±3%
शक्ति - मैक्स:	500 mW
प्रतिबाधा (अधिकतम) (ZZT):	65 Ohms
करंट - रिवर्स लीकेज @ वी.आर:	200 nA @ 25 V
वोल्टेज - आगे (vf) (अधिकतम) @ अगर:	900 mV @ 10 mA
परिचालन तापमान:	150°C
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
पैकेज / मामला:	DO-219AC
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	DO-219AC (microSMF)

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