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BZD27B4V3P-HE3-18

BZD27B4V3P-HE3-18
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भाग संख्या BZD27B4V3P-HE3-18
LIXINC Part # BZD27B4V3P-HE3-18
उत्पादक Vishay General Semiconductor – Diodes Division
वर्ग असतत अर्धचालक › डायोड - जेनर - सिंगल
विवरण DIODE ZENER 4.3V 800MW DO219AB
जीवन चक्र सक्रिय
RoHS कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल BZD27B4V3P-HE3-18 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी Sep 22 - Sep 26 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी 1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
शिपिंग DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BZD27B4V3P-HE3-18 विशेष विवरण

भाग संख्या:BZD27B4V3P-HE3-18
ब्रैंड:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
जीवन चक्र:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:डायोड - जेनर - सिंगल
उत्पादक:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
शृंखला:Automotive, AEC-Q101, BZD27B
पैकेट:Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति:Active
वोल्टेज - जेनर (नाम) (vz):4.3 V
सहनशीलता:-
शक्ति - मैक्स:800 mW
प्रतिबाधा (अधिकतम) (ZZT):7 Ohms
करंट - रिवर्स लीकेज @ वी.आर:25 µA @ 1 V
वोल्टेज - आगे (vf) (अधिकतम) @ अगर:1.2 V @ 200 mA
परिचालन तापमान:-65°C ~ 175°C
माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
पैकेज / मामला:DO-219AB
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:DO-219AB (SMF)

BZD27B4V3P-HE3-18 दस्तावेज़

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