CRY82(TE85L,Q,M) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation CRY82(TE85L,Q,M)

CRY82(TE85L,Q,M)

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भाग संख्या	CRY82(TE85L,Q,M)
LIXINC Part #	CRY82(TE85L,Q,M)
उत्पादक	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
वर्ग	असतत अर्धचालक › डायोड - जेनर - सिंगल
विवरण	DIODE ZENER 8.2V 700MW SFLAT
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	CRY82(TE85L,Q,M) पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 22 - Sep 26 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान
शिपिंग

CRY82(TE85L,Q,M) विशेष विवरण

भाग संख्या:	CRY82(TE85L,Q,M)
ब्रैंड:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	डायोड - जेनर - सिंगल
उत्पादक:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
शृंखला:	-
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Obsolete
वोल्टेज - जेनर (नाम) (vz):	8.2 V
सहनशीलता:	±10%
शक्ति - मैक्स:	700 mW
प्रतिबाधा (अधिकतम) (ZZT):	30 Ohms
करंट - रिवर्स लीकेज @ वी.आर:	10 µA @ 4.9 V
वोल्टेज - आगे (vf) (अधिकतम) @ अगर:	1 V @ 200 mA
परिचालन तापमान:	-40°C ~ 150°C
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
पैकेज / मामला:	SOD-123F
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	S-FLAT (1.6x3.5)

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