BZG05B3V9-HE3-TR | Vishay General Semiconductor – Diodes Division BZG05B3V9-HE3-TR

BZG05B3V9-HE3-TR

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भाग संख्या	BZG05B3V9-HE3-TR
LIXINC Part #	BZG05B3V9-HE3-TR
उत्पादक	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
वर्ग	असतत अर्धचालक › डायोड - जेनर - सिंगल
विवरण	DIODE ZENER 3.9V 1.25W DO214AC
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	BZG05B3V9-HE3-TR पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 08 - Oct 12 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान
शिपिंग

BZG05B3V9-HE3-TR विशेष विवरण

भाग संख्या:	BZG05B3V9-HE3-TR
ब्रैंड:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	डायोड - जेनर - सिंगल
उत्पादक:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
शृंखला:	Automotive, AEC-Q101
पैकेट:	Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति:	Obsolete
वोल्टेज - जेनर (नाम) (vz):	3.9 V
सहनशीलता:	±2.05%
शक्ति - मैक्स:	1.25 W
प्रतिबाधा (अधिकतम) (ZZT):	15 Ohms
करंट - रिवर्स लीकेज @ वी.आर:	10 µA @ 1 V
वोल्टेज - आगे (vf) (अधिकतम) @ अगर:	1.2 V @ 200 mA
परिचालन तापमान:	150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
पैकेज / मामला:	DO-214AC, SMA
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	DO-214AC

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