RN1965(TE85L,F) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation RN1965(TE85L,F)

RN1965(TE85L,F)

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भाग संख्या	RN1965(TE85L,F)
LIXINC Part #	RN1965(TE85L,F)
उत्पादक	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - द्विध्रुवी (bjt) - सरणियाँ, पूर्व-पक्षपाती
विवरण	TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	RN1965(TE85L,F) पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 10 - Oct 14 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान
शिपिंग

RN1965(TE85L,F) विशेष विवरण

भाग संख्या:	RN1965(TE85L,F)
ब्रैंड:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - द्विध्रुवी (bjt) - सरणियाँ, पूर्व-पक्षपाती
उत्पादक:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
शृंखला:	-
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
ट्रांजिस्टर प्रकार:	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम):	100mA
वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम):	50V
रोकनेवाला - आधार (आर 1):	2.2kOhms
रोकनेवाला - उत्सर्जक आधार (आर 2):	47kOhms
डीसी वर्तमान लाभ (एचएफई) (न्यूनतम) @ आईसी, वीसीई:	80 @ 10mA, 5V
वीसीई संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी:	300mV @ 250µA, 5mA
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम):	100nA (ICBO)
आवृत्ति - संक्रमण:	250MHz
शक्ति - मैक्स:	200mW
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
पैकेज / मामला:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	US6

RN1965(TE85L,F) दस्तावेज़

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