RN2119MFV,L3F | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation RN2119MFV,L3F

RN2119MFV,L3F

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भाग संख्या	RN2119MFV,L3F
LIXINC Part #	RN2119MFV,L3F
उत्पादक	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - बाइपोलर (bjt) - सिंगल, प्री-बायस्ड
विवरण	TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	RN2119MFV,L3F पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 06 - Oct 10 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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RN2119MFV,L3F विशेष विवरण

भाग संख्या:	RN2119MFV,L3F
ब्रैंड:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - बाइपोलर (bjt) - सिंगल, प्री-बायस्ड
उत्पादक:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
शृंखला:	-
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
ट्रांजिस्टर प्रकार:	PNP - Pre-Biased
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम):	100 mA
वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम):	50 V
रोकनेवाला - आधार (आर 1):	1 kOhms
रोकनेवाला - उत्सर्जक आधार (आर 2):	-
डीसी वर्तमान लाभ (एचएफई) (न्यूनतम) @ आईसी, वीसीई:	120 @ 1mA, 5V
वीसीई संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी:	300mV @ 500µA, 5mA
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम):	100nA (ICBO)
आवृत्ति - संक्रमण:	-
शक्ति - मैक्स:	150 mW
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
पैकेज / मामला:	SOT-723
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	VESM

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