RN1101MFV,L3F(CT | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation RN1101MFV,L3F(CT

RN1101MFV,L3F(CT

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भाग संख्या	RN1101MFV,L3F(CT
LIXINC Part #	RN1101MFV,L3F(CT
उत्पादक	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - बाइपोलर (bjt) - सिंगल, प्री-बायस्ड
विवरण	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	RN1101MFV,L3F(CT पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 22 - Sep 26 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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शिपिंग

RN1101MFV,L3F(CT विशेष विवरण

भाग संख्या:	RN1101MFV,L3F(CT
ब्रैंड:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - बाइपोलर (bjt) - सिंगल, प्री-बायस्ड
उत्पादक:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
शृंखला:	-
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
ट्रांजिस्टर प्रकार:	NPN - Pre-Biased
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम):	100 mA
वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम):	50 V
रोकनेवाला - आधार (आर 1):	4.7 kOhms
रोकनेवाला - उत्सर्जक आधार (आर 2):	4.7 kOhms
डीसी वर्तमान लाभ (एचएफई) (न्यूनतम) @ आईसी, वीसीई:	30 @ 10mA, 5V
वीसीई संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी:	300mV @ 500µA, 5mA
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम):	500nA
आवृत्ति - संक्रमण:	-
शक्ति - मैक्स:	150 mW
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
पैकेज / मामला:	SOT-723
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	VESM

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