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BSG0811NDATMA1

BSG0811NDATMA1
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भाग संख्या BSG0811NDATMA1
LIXINC Part # BSG0811NDATMA1
उत्पादक IR (Infineon Technologies)
वर्ग असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सरणियाँ
विवरण MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON
जीवन चक्र सक्रिय
RoHS कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल BSG0811NDATMA1 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी Sep 22 - Sep 26 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी 1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
शिपिंग DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BSG0811NDATMA1 विशेष विवरण

भाग संख्या:BSG0811NDATMA1
ब्रैंड:IR (Infineon Technologies)
जीवन चक्र:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सरणियाँ
उत्पादक:IR (Infineon Technologies)
शृंखला:OptiMOS™
पैकेट:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:Active
एफईटी प्रकार:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
fet सुविधा:Logic Level Gate, 4.5V Drive
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):25V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस:19A, 41A
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:3mOhm @ 20A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:2V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:8.4nC @ 4.5V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:1100pF @ 12V
शक्ति - मैक्स:2.5W
परिचालन तापमान:-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
पैकेज / मामला:8-PowerTDFN
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:PG-TISON-8

BSG0811NDATMA1 दस्तावेज़

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