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SQJ912BEP-T1_GE3

SQJ912BEP-T1_GE3
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भाग संख्या SQJ912BEP-T1_GE3
LIXINC Part # SQJ912BEP-T1_GE3
उत्पादक Vishay / Siliconix
वर्ग असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सरणियाँ
विवरण MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L
जीवन चक्र सक्रिय
RoHS कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल SQJ912BEP-T1_GE3 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी Sep 22 - Sep 26 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी 1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
शिपिंग DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SQJ912BEP-T1_GE3 विशेष विवरण

भाग संख्या:SQJ912BEP-T1_GE3
ब्रैंड:Vishay / Siliconix
जीवन चक्र:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सरणियाँ
उत्पादक:Vishay / Siliconix
शृंखला:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
पैकेट:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:Active
एफईटी प्रकार:2 N-Channel (Dual)
fet सुविधा:Standard
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):40V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस:30A (Tc)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:11mOhm @ 9A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:2V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:60nC @ 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:3000pF @ 25V
शक्ति - मैक्स:48W (Tc)
परिचालन तापमान:-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
पैकेज / मामला:PowerPAK® SO-8 Dual
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:PowerPAK® SO-8 Dual

SQJ912BEP-T1_GE3 दस्तावेज़

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