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FF8MR12W2M1B11BOMA1

FF8MR12W2M1B11BOMA1
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भाग संख्या FF8MR12W2M1B11BOMA1
LIXINC Part # FF8MR12W2M1B11BOMA1
उत्पादक IR (Infineon Technologies)
वर्ग असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सरणियाँ
विवरण MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2
जीवन चक्र सक्रिय
RoHS कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल FF8MR12W2M1B11BOMA1 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी Sep 22 - Sep 26 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी 1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
शिपिंग DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FF8MR12W2M1B11BOMA1 विशेष विवरण

भाग संख्या:FF8MR12W2M1B11BOMA1
ब्रैंड:IR (Infineon Technologies)
जीवन चक्र:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सरणियाँ
उत्पादक:IR (Infineon Technologies)
शृंखला:CoolSiC™+
पैकेट:Tray
भाग की स्थिति:Active
एफईटी प्रकार:2 N-Channel (Dual)
fet सुविधा:Silicon Carbide (SiC)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):1200V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस:150A (Tj)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:7.5mOhm @ 150A, 15V (Typ)
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:5.55V @ 60mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:372nC @ 15V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:11000pF @ 800V
शक्ति - मैक्स:20mW (Tc)
परिचालन तापमान:-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:Chassis Mount
पैकेज / मामला:Module
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:AG-EASY2BM-2

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