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SI5517DU-T1-GE3

SI5517DU-T1-GE3
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भाग संख्या SI5517DU-T1-GE3
LIXINC Part # SI5517DU-T1-GE3
उत्पादक Vishay / Siliconix
वर्ग असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सरणियाँ
विवरण MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
जीवन चक्र सक्रिय
RoHS कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल SI5517DU-T1-GE3 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी Sep 22 - Sep 26 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी 1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
शिपिंग DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SI5517DU-T1-GE3 विशेष विवरण

भाग संख्या:SI5517DU-T1-GE3
ब्रैंड:Vishay / Siliconix
जीवन चक्र:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सरणियाँ
उत्पादक:Vishay / Siliconix
शृंखला:TrenchFET®
पैकेट:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:Active
एफईटी प्रकार:N and P-Channel
fet सुविधा:Logic Level Gate
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):20V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस:6A
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:39mOhm @ 4.4A, 4.5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:1V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:16nC @ 8V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:520pF @ 10V
शक्ति - मैक्स:8.3W
परिचालन तापमान:-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
पैकेज / मामला:PowerPAK® ChipFET™ Dual
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:PowerPAK® ChipFet Dual

SI5517DU-T1-GE3 दस्तावेज़

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