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IRF5810TR

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भाग संख्या	IRF5810TR
LIXINC Part #	IRF5810TR
उत्पादक	IR (Infineon Technologies)
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सरणियाँ
विवरण	MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	IRF5810TR पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 24 - Sep 28 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान
शिपिंग

IRF5810TR विशेष विवरण

भाग संख्या:	IRF5810TR
ब्रैंड:	IR (Infineon Technologies)
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सरणियाँ
उत्पादक:	IR (Infineon Technologies)
शृंखला:	HEXFET®
पैकेट:	Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति:	Obsolete
एफईटी प्रकार:	2 P-Channel (Dual)
fet सुविधा:	Logic Level Gate
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	20V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	2.9A
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	90mOhm @ 2.9A, 4.5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	1.2V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	9.6nC @ 4.5V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	650pF @ 16V
शक्ति - मैक्स:	960mW
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
पैकेज / मामला:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	6-TSOP

SI4908DY-T1-GE3	MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC	954 अधिक आदेश पर
IRF7902PBF	MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC	953 अधिक आदेश पर
SI4501ADY-T1-GE3	MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC	871 अधिक आदेश पर
SI4226DY-T1-GE3	MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC	978 अधिक आदेश पर
NTMFD4C88NT3G	MOSFET 2N-CH 30V 8DFN	856 अधिक आदेश पर
TMC1340-SO	MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC	882 अधिक आदेश पर
EPC2101ENGRT	GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID	875 अधिक आदेश पर
SI4972DY-T1-E3	MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8SOIC	816 अधिक आदेश पर
AON6908ALS_101	MOSFET N-CH	907 अधिक आदेश पर
NVMFD5483NLT3G	MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN	852 अधिक आदेश पर
SP8M3FU7TB1	MOSFET N/P-CH 30V 8SOP	821 अधिक आदेश पर
SI6983DQ-T1-E3	MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8TSSOP	907 अधिक आदेश पर
IRF7325	MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC	987 अधिक आदेश पर

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