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SI1026X-T1-E3

SI1026X-T1-E3
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भाग संख्या SI1026X-T1-E3
LIXINC Part # SI1026X-T1-E3
उत्पादक Vishay / Siliconix
वर्ग असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सरणियाँ
विवरण MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563F
जीवन चक्र सक्रिय
RoHS कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल SI1026X-T1-E3 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी Sep 26 - Sep 30 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी 1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
शिपिंग DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SI1026X-T1-E3 विशेष विवरण

भाग संख्या:SI1026X-T1-E3
ब्रैंड:Vishay / Siliconix
जीवन चक्र:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सरणियाँ
उत्पादक:Vishay / Siliconix
शृंखला:-
पैकेट:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:Obsolete
एफईटी प्रकार:2 N-Channel (Dual)
fet सुविधा:Logic Level Gate
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):60V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस:305mA
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:1.4Ohm @ 500mA, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:2.5V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:0.6nC @ 4.5V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:30pF @ 25V
शक्ति - मैक्स:250mW
परिचालन तापमान:-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
पैकेज / मामला:SOT-563, SOT-666
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:SC-89-6

SI1026X-T1-E3 दस्तावेज़

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