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MVDF2C03HDR2G

MVDF2C03HDR2G
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भाग संख्या MVDF2C03HDR2G
LIXINC Part # MVDF2C03HDR2G
उत्पादक Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
वर्ग असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सरणियाँ
विवरण MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
जीवन चक्र सक्रिय
RoHS कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल MVDF2C03HDR2G पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी Sep 26 - Sep 30 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी 1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
शिपिंग DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MVDF2C03HDR2G विशेष विवरण

भाग संख्या:MVDF2C03HDR2G
ब्रैंड:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
जीवन चक्र:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सरणियाँ
उत्पादक:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
शृंखला:-
पैकेट:Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति:Obsolete
एफईटी प्रकार:N and P-Channel Complementary
fet सुविधा:Logic Level Gate
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):30V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस:4.1A, 3A
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:70mOhm @ 3A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:3V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:16nC @ 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:630pF @ 24V
शक्ति - मैक्स:2W
परिचालन तापमान:-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
पैकेज / मामला:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:8-SOIC

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