RFM04U6P(TE12L,F) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation RFM04U6P(TE12L,F) | RFM04U6P(TE12L,F) Inventory, Best Pricing

RFM04U6P(TE12L,F)

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भाग संख्या	RFM04U6P(TE12L,F)
LIXINC Part #	RFM04U6P(TE12L,F)
उत्पादक	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - rf
विवरण	MOSFET N-CH PW-MINI
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	RFM04U6P(TE12L,F) पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Jul 04 - Jul 08 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान
शिपिंग

RFM04U6P(TE12L,F) विशेष विवरण

भाग संख्या:	RFM04U6P(TE12L,F)
ब्रैंड:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - rf
उत्पादक:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
शृंखला:	-
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
ट्रांजिस्टर प्रकार:	N-Channel
आवृत्ति:	470MHz
पाना:	13.3dB
वोल्टेज - परीक्षण:	6 V
वर्तमान रेटिंग (एएमपीएस):	2A
शोर का आंकड़ा:	-
वर्तमान - परीक्षण:	500 mA
पावर आउटपुट:	4.3W
वोल्टेज - रेटेड:	16 V
पैकेज / मामला:	TO-243AA
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	PW-MINI

BLC8G27LS-60AVY	TRANS RF 60W LDMOS DFM6F	957 अधिक आदेश पर
CGH27060F	RF MOSFET HEMT 28V 440193	959 अधिक आदेश पर
CGHV50200F	RF MOSFET HEMT 40V 440217	908 अधिक आदेश पर
BLS6G3135S-20,112	RF PFET, 1-ELEMENT, S BAND, SILI	871 अधिक आदेश पर
NE3512S02-T1D-A	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET	18078 अधिक आदेश पर
BLF8G22LS-140U	RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B	1000 अधिक आदेश पर
BLD6G22L-50,112	RF TRANSISTOR	888 अधिक आदेश पर
BLA1011S-200R,112	RF TRANSISTOR	930 अधिक आदेश पर
SW02FQ	QUAD SPST BIFET SWITCH	2254 अधिक आदेश पर
ARF1500	MOSFET RF N-CH 500V 60A T1	929 अधिक आदेश पर
BLC9G15XS-400AVTZ	RF MOSFET LDMOS 32V SOT1258-7	1053 अधिक आदेश पर
BLF8G22LS-270GV,12	RF FET LDMOS 65V 17.3DB SOT1244C	1049 अधिक आदेश पर
MRFE6S9200HR3	RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-	1760 अधिक आदेश पर

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