A2G35S200-01SR3

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भाग संख्या	A2G35S200-01SR3
LIXINC Part #	A2G35S200-01SR3
उत्पादक	NXP Semiconductors
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - rf
विवरण	AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	A2G35S200-01SR3 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 07 - Oct 11 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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शिपिंग

A2G35S200-01SR3 विशेष विवरण

भाग संख्या:	A2G35S200-01SR3
ब्रैंड:	NXP Semiconductors
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - rf
उत्पादक:	NXP Semiconductors
शृंखला:	-
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
ट्रांजिस्टर प्रकार:	GaN HEMT
आवृत्ति:	3.4GHz ~ 3.6GHz
पाना:	16.1dB
वोल्टेज - परीक्षण:	48 V
वर्तमान रेटिंग (एएमपीएस):	-
शोर का आंकड़ा:	-
वर्तमान - परीक्षण:	291 mA
पावर आउटपुट:	180W
वोल्टेज - रेटेड:	125 V
पैकेज / मामला:	NI-400S-2S
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	NI-400S-2S

A2G35S200-01SR3 दस्तावेज़

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