PD20010TR-E | STMicroelectronics PD20010TR-E | PD20010TR-E Inventory, Best Pricing

PD20010TR-E

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भाग संख्या	PD20010TR-E
LIXINC Part #	PD20010TR-E
उत्पादक	STMicroelectronics
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - rf
विवरण	TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	PD20010TR-E पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 22 - Sep 26 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान
शिपिंग

PD20010TR-E विशेष विवरण

भाग संख्या:	PD20010TR-E
ब्रैंड:	STMicroelectronics
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - rf
उत्पादक:	STMicroelectronics
शृंखला:	-
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
ट्रांजिस्टर प्रकार:	LDMOS
आवृत्ति:	2GHz
पाना:	11dB
वोल्टेज - परीक्षण:	13.6 V
वर्तमान रेटिंग (एएमपीएस):	5A
शोर का आंकड़ा:	-
वर्तमान - परीक्षण:	150 mA
पावर आउटपुट:	10W
वोल्टेज - रेटेड:	40 V
पैकेज / मामला:	PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	PowerSO-10RF (Formed Lead)

BF1204,115	FET RF 10V 400MHZ 6TSSOP	959 अधिक आदेश पर
2N5247	JFET N-CH 30V TO92	7820 अधिक आदेश पर
TAV-541+	SMT LOW NOISE AMPLIFIER, 45 - 60	868 अधिक आदेश पर
MRF101BN	RF MOSFET LDMOS 50V TO220-3	1025 अधिक आदेश पर
BLF182XRU	RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121B	843 अधिक आदेश पर
BLF6G21-10G,112	RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A	876 अधिक आदेश पर
MRF6V14300HR5	RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR	856 अधिक आदेश पर
MRF6V12250HR5	FET RF 100V 1.03GHZ NI-780	970 अधिक आदेश पर
2N5639RLRA	SMALL SIGNAL FET	22910 अधिक आदेश पर
BLP7G22-05Z	RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN	907 अधिक आदेश पर
BLP8G27-5Z	RF FET LDMOS 65V 18DB 16VDFN	1209 अधिक आदेश पर
CG2H40120F	120W GAN HEMT 28V 4.0GHZ G2	1112 अधिक आदेश पर
MMBF4416	RF MOSFET N-CH JFET 15V SOT23-3	817 अधिक आदेश पर

वार्म टिप्स: कृपया नीचे दिया गया फॉर्म भरें। हम जितनी जल्दी हो सके आपसे संपर्क करेंगे।

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$15.54000	$15.54
600	$10.45096	$6270.576

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