IAUA200N04S5N010AUMA1 | IR (Infineon Technologies) IAUA200N04S5N010AUMA1 | IAUA200N04S5N010AUMA1 Inventory, Best Pricing

IAUA200N04S5N010AUMA1

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भाग संख्या	IAUA200N04S5N010AUMA1
LIXINC Part #	IAUA200N04S5N010AUMA1
उत्पादक	IR (Infineon Technologies)
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 40V 200A 5HSOF
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	IAUA200N04S5N010AUMA1 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 07 - Oct 11 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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IAUA200N04S5N010AUMA1 विशेष विवरण

भाग संख्या:	IAUA200N04S5N010AUMA1
ब्रैंड:	IR (Infineon Technologies)
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	IR (Infineon Technologies)
शृंखला:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	40 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	200A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	7V, 10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	1mOhm @ 100A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	3.4V @ 100µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	132 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	7650 pF @ 25 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	167W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	PG-HSOF-5-1
पैकेज / मामला:	5-PowerSFN

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